来历：Silicon Semiconductor
利用射频硅中介层技术将高性能 III-V 芯片与硅基晶圆级封装相联合，为经济高效的毫米波通讯及传感摊平了门路。
于IEEE 国际电子装备聚会会议 (IEDM) 上，imec 展示了于 300 毫米射频硅中介层上 InP 芯片异质集成的突破性结果。芯片集成后，于 140GHz 频率下插入损耗仅为 0.1dB，可纰漏不计。此外，组装两级 InP 功率放年夜器 (PA) 时，性能没有降落。作为首个实现这一目标的团队，imec 的结果标志着开发用在 100GHz 以上通讯及雷达传感的紧凑、节能�？榈闹饕锍瘫�
为了满意更快的数据传输、更年夜的带宽及进步前辈的成像的需求，下一代通讯及（雷达）传感体系必须利用更高的频带。这类改变需要紧凑、成本优化、节能的组件，这些组件要比现有技术运行速率更快、输出功率更年夜。
Imec 认为异构 III-V/Si-CMOS 技术是一条有远景的生长门路，此中磷化铟 (InP) 于毫米波及亚太赫兹频率下的高增益及功率效率显快盈VIII平台-示出特殊的潜力。然而，今朝的 InP 技术有几个错误谬误，例如利用小尺寸晶圆及经由历程电子束光刻举行处置处罚，很年夜一部门设计区域被无源器件及基在金的后端盘踞 - 限定了 InP 于利基市场中的运用。
“经由历程仅于需要 InP 怪异性能的领域利用 InP，imec 正于为可扩大、经济高效的毫米波及亚太赫兹解决方案摊平门路。这恰是芯片组要领变患上必不成少之处，”imec 的首席技术职员 Siddhartha Sinha 注释道。
RF 硅中介层及 InP 芯片集成于 140GHz 时显示 0.1dB 插入损耗，组装 InP PA 时性能无任何降落
依附于硅中介层技术方面的领先职位地方，imec 充实使用其于 2.5 技术方面的专业知识，来实现下一代射频运用，为毫米波及亚太赫兹旌旗灯号提供超低损耗及紧凑集成。
Siddhartha Sinha体现：“硅中介层技术一直是数字及 HPC 用例的要害。Imec 于开发底层推动因素方面拥有富厚的专业知识，例如经由历程缩放微凸块、高纵横比 TSV 及多层 Cu 镶嵌布线，来满意这些运用的高密度布线需求。使用这些要领，咱们现在经由历程利用近似 CMOS 工艺添加小型、高性能 InP 芯片，使硅中介层技术也适用在射频运用。”
Imec 的 RF 中介层于数字中介层之上添加了低损耗 RF 层，用在路由 妹妹Wave 旌旗灯号。使用具备 40?m 倒装芯片间距的小尺寸互连，InP 芯片及 RF 中介层之间的无源互连于 140GHz 时显示 0.1dB 插入损耗 - 可以纰漏不计。此外，两级 InP 功率放年夜器 (PA) 体现出优秀的性能，组装后没有不雅察到任何性能降落，验证了 InP 芯片要领的有用性。
进步的门路：使 InP 与 CMOS 处置处罚�？榧肮ぞ呒嫒�
基在 IEDM 上展示的结果，imec 研究职员会继续摸索中介层的进一步结果，作为更广泛计划的一部门，旨于使 InP 与 CMOS 处置处罚�？榧肮ぞ呒嫒�。
“除了了开发用在毫米波相控阵及雷达运用的演示器以外，咱们另有于进一步缩小 InP 芯片的尺寸，同时保留其卓着的射频性能。咱们另有计划为该平台添加新的 Si RF 中介层功效，包罗电感器及 MIMCAP 等无源器件，以和 TSV 集成及晶圆减�。盨iddhartha Sinha 说道。
“与此同时，咱们正于向相助同伴提供该平台举行原型设计，让他们可以或许实验 imec 的 RF 中介层研发平台，”他总结道。
原文链接：
https://siliconsemiconductor.net/article/120733/Imec_achieves_seamless_InP_Chiplet_integration_on_300妹妹_RF_Silicon_Interposer
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