快盈VIII平台-Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性
宣布于：2025-10-03 14:51:18

器件接纳MPS结构设计，额定电流5A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷及低反向泄电流低

2024年6月28日 — 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200 V快盈VIII平台-碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件接纳混淆PIN 肖特基（MPS）结构设计，具备高浪涌电流掩护能力，低正向压降、低电容电荷及低反向泄电流低，有助在晋升开关电源设计能效及靠得住性。

日前宣布的新一代SiC二极管包罗5A至40A器件，接纳TO-220AC2L、TO-247AD 2L及TO-247AD 3L插件封装及D2PAK 2L（TO-263AB 2L）外貌贴装封装。因为接纳MPS结构——使用激光退火反面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向泄电流仅为2.5 ?A，是以降低了导通损耗，确保体系轻载及空载时期的高能效。与超快恢复二极管差异，第三代器件险些没有恢复拖尾，从而可以或许进一步晋升效率。

碳化硅二极管典型运用包罗FBPS及LLC转换器AC/DC功率因数校订（PFC）及 DC/DC超高频输出整流，适用在光伏逆变器、储能体系、工业驱动器及工具、数据中央等。这些严苛的运用情况中，器件事情温度可达+175°C，正向额定浪涌电流掩护能力高达260 A。此外，D2PAK 2L封装二极管接纳高CTI ?600的塑封料，确保电压升高时优秀的绝缘性能。

器件具备高靠得住性，切合RoHS尺度，无卤素，经由历程2000小时高温反偏（HTRB）测试及2000次热轮回温度轮回测试。

-快盈VIII平台-