快盈VIII平台-晶越半导体研制出高品质12英寸SiC晶锭
宣布于：2025-10-08 19:33:42

据晶越半导体官微消息，晶越半导体继2025年上半年景功量产8英寸碳化硅衬底后，连续投入其实不停加年夜研发力度，并于热场设计、籽晶粘接、厚度晋升以和缺陷节制方面不停调整及优化工艺，近日研制出高品质12英寸SiC晶锭，标志晶越乐成进入12英寸SiC衬底梯队。

果真资料显示，浙江晶越半导体有限公司建设快盈VIII平台-在2020年7月21日，现阶段重要聚焦在6-8英寸导电型碳化硅衬底质料的研发、生产与发卖。

于未来，晶越将连续投入研发、专注在打磨产物、提高良率及参数优化，努力打造海内领先碳化硅质料提供商。

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