据报导，5月27日，中微公司进行2024年度暨2025年第一季度事迹申明会。
中微公司董事长、总司理快盈VIII平台-尹志尧体现，于等离子体刻蚀领域，中微基本可以周全笼罩（差异运用），包罗成熟和进步前辈逻辑器件、闪存、动态存储器、特殊器件等，而且已经经有95%到99%的运用都有了批量生产的数据或者客户认证的数据。
工艺精度上，中微公司ICP刻蚀机Twin-star两台的加工精度已经经进入皮米数目级，到达100皮米如下水平；双台刻蚀机实现原子、亚原子水平刻蚀节制，到达全世界进步前辈水平。今朝业内量产所用刻蚀机的深宽比于60:1，中微公司正于突破90到100:1的深孔刻蚀。
除了刻蚀装备外，中微公司自2010年最先不停最先扩展于薄膜装备领域的开发运用。中微公司计划了近40种导体薄膜沉积装备的开发。此中9种装备已经经完成开发，6款实现量产运转1年，本年计划将完成7种装备开发。尹志尧称，很快将会把国际对于海内禁运的20多种薄膜装备开发完成，预计到2029年完成所有开发。
据尹志尧先容，今朝中微可以笼罩30%的集成电路装备。而于今后五到十年内，中微公司将与相助同伴配合笼罩60%的集成电路高端装备，包罗刻蚀、薄膜和量检测的全数装备，以和一部门湿法装备，成为平台式的团体公司。
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