据韩媒报导,三星计划于韩国华城及平泽扩展1c DRAM产能,相干投资将于年末前启动。
报导称,三星另有思量于2025年末前将华城17号生产线1z DRAM (第三快盈VIII平台-代10奈米品级)制程技术转为1c DRAM制程技术生产,以进一步扩展产能。三星本年早些时辰已经于平泽第四园区(P4)启动首条1c DRAM生产线,目标月产能为3万片晶圆。若后续扩建顺遂,月产能有望晋升至4万片。
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