据九峰山试验室官微消息，近日，九峰山试验室科研团队于全世界初次实现8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁徙快盈VIII平台-率质料的制备。该结果将助力射频锹剿等体系级芯片于频率、效率、集成度等方面越级晋升，为下一代通讯、主动驾驶、雷达探测、微波能量传输等前沿技术生长提供有力支撑。
据悉，九峰山试验室此技术结果，是全世界初次于8英寸硅衬底上实现氮极性氮化镓高电子迁徙率功效质料（N-polar GaNOI）制备，打破了国际技术垄断。其重要突破体现于如下三个方面：一是成本节制，接纳硅基衬底，兼容8英寸主流半导体产线装备，深度集成硅基CMOS工艺，使该技术能迅速适配量产工艺；二是质料性能晋升，质料性能与靠得住性兼具；三是良率晋升，键合界面良率超 99%。以上突破为该质料年夜规模工业化奠基了主要基础。
氮极性氮化镓质料于高频段（如毫米波频段）的性能很是精彩，这对于在需要高频操作的领域来讲十分主要，5G/6G通讯、卫星通讯、雷达体系等领域都有望从中获益。一旦突破量产技术临界点，氮极性氮化镓质料将于以上领域斥地新的运用场景，对于工业生长起到革新性推行动用。以是氮极性氮化镓已经成为国际科研界争相深切摸索的焦点质料。
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