• 快盈VIII平台-3D NAND Flash存储器超快蚀刻技术
      宣布于：2025-10-20 13:30:55

      3D NANDFlash存储器的超快蚀刻技术是当前半导体系体例造领域的主要突破之一。这项技术重要经由历程于极低温度下举行高纵横比（High-Aspect-Ratio, HAR）蚀刻，以实现对于存储通道孔洞及沟槽的高效、切确加工。

      凭据东京电子及Lam Research等公司的最新研发进展，这类新型蚀刻技术可以于短短33分钟内完成10微米深度的高纵横比蚀刻。这不仅显著缩短了传统蚀刻工艺所需的时间，另有提高了蚀刻结构的几何外形清楚度，有助在制造更高容量的3D NAND Flash存储器。

      3D NAND Flash存储器的超快蚀刻技术实现高纵横比（HAR）蚀刻的详细机理重要依靠在低温电介质蚀刻技术。这类技术初次将电蚀刻运用带入到低温规模中，孕育发生了具备极高蚀刻速度的体系。详细来讲，这项技术使用低温晶圆台及新的气体化学反映来实现蚀刻，从而不仅可以或许到达10微米的深度，另有能削减温室气体排放84%。此外，这类技术另有撑持生产跨越400层重叠的NAND芯片，这对于在未来高密度、高性能的NAND闪存装备的制造具备主要意义。值患上留意的是，传统的蚀刻技术往往需要几个小时才气完成高明宽比的蚀刻，而且消耗年夜量的蚀刻气体。而新型超快蚀刻技术则年夜幅晋升了生产效率及情况友爱性，为3D NAND Flash存储器的年夜规模生产及高性能生长提供了强有力的技术撑持。

      于传统的湿法蚀刻历程中，选择性去除了Si3N4是要害法式，但当层数跨越96层时，需要专门配制湿法蚀刻化学品。而低温电介质蚀刻技术则经由历程优化质料及工艺法式来确保要害蚀刻工艺的稳定性、可重复性及最优化。此外，这项技术另有可以或许以埃级精度建设高纵横比特性，同时降低对于情况的影响。

      3D NAND Flash存储器的超快蚀刻技术经由历程立异的低温蚀刻要领及进步前辈的气体化学反映，实现了高效率、低成本及环保的蚀刻历程，为未来的存储器技术生长奠基了坚实的基础。

      今朝于研发3D NAND Flash存储器的超快蚀刻技术的公司包罗东京电子及铠侠。东京电子已经经开发出一种立异的通孔蚀刻技术，可以用在重叠跨越400层的进步前辈3D NAND闪存芯片，这类新工艺初次将电介质蚀刻运用带入低温规模，从而打造了一个具备极高蚀刻率的体系。此外，铠侠计划于2026年量产第10代NAND，并将接纳低温蚀刻的新技术，可于比以往更低温的情况中举行蚀刻，这类方式能让存储器的存储单元从上层到下层之间贯串的许多存储通孔以更快的时间形成，是以能提高单元时间的生产量。

      来历：光刻人条记

      【近期聚会会议】

      10月30-31日，由宽禁带半导体国家工程研究中快盈VIII平台-央主理的“化合物半导体进步前辈技术和运用年夜会”将初次与各人于江苏·常州相见，邀您齐聚常州新城希尔顿旅店，解耦工业链市场结构！https://w.lwc.cn/s/uueAru

      11月28-29日，“第二届半导体进步前辈封测工业技术立异年夜会”将再次与列位相见在厦门，承袭“延续去年，立异本年”的思惟，仍将由云天半导体与厦门年夜学结合主理，雅时国际商讯承办，邀您齐聚厦门·海沧融信华邑旅店共探行业生长！诚邀您报名参会：https://w.lwc.cn/s/n6FFne

      -快盈VIII平台-