信越化学股份有限公司近日宣布，已经将利用氮化镓(GaN)的半导体系体例造基板(晶圆)的直径扩展至300毫米，是传统产物的1.5倍，并已经最先供应样品。实现高质量厚膜GaN外延生长。它将作为数据中央（DC）中利用的下一代半导体的制造质料提供，数据中央的需求正于不停增长。信越化学将凭据情况举行批量生产。
当提高于晶体上生长晶体薄膜的外延生长历程的效率时，增长衬底的尺寸轻易发生翘曲及破裂。解决这个问题的GaN兼容衬底可以与传统硅（Si）于统一生产线上利用，是以也有望降低成本。此前，它以150毫米及200毫米直径出售，但凭据客户反�。龀ち�300毫米直径。
2019年，信越化学获得了美国Qromis公司（加利福尼亚州Chromis）开发的专门用在GaN生长的复合质料基板的许可，该基板名为“QST基板”。QST衬底具备与GaN不异的热膨胀系数，而且可以于与尺度Si衬底不异的衬底厚度的情况下按捺外延层的翘曲及裂纹。该公司继续将使用这一特征的年夜型基板贸易化。
与传统硅器件相比，氮化镓功率器件具备更高的开关频率及功率密度，以和更高的功率转换效率及简化的拓扑结构。消费运用（如电源适配器）及工业运用（如数据中央电源及太阳能逆变器）已经获得广泛接纳。于本文中，咱们将会商一种立异要领，以扩大GaN的制造能力，以增长其运用空间，促成单片集成，并于非专用在硅的Si兼容工厂中增长晶圆直径。
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