来历：钜亨网
鸿海（富士康）研究院半导体所，联袂阳明交年夜电子所，两边研究团队于第四代化合物半导体的要害技术上取患上庞大突破，提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 于高压、高温运用领域的高压耐受性能，为未来高功率电子元件斥地了新的可能性。
第四代半导体快盈VIII平台-氧化镓 (Ga2O3) 因其优秀的性能，被视为下一代半导体质料的代表。它拥有超宽能隙 (4.8 eV)、超高临界击穿场强 (8 MV/cm) 等特征，较现有的硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 及氮化镓 (GaN) 等质料具备显著上风，这些特征使患上氧化镓尤其适用在电动车、电网体系、航空航太等高功率运用场景。
鸿海认为，氧化镓元件将有望成为具备竞争力的电力电子元件，能直接与碳化硅元件竞争。今朝中国、日本及美国于氧化镓研究领域处在领先职位地方。此中，日本已经实现 4 英寸及 6 英寸氧化镓晶圆的工业化，而中国多家科研机谈判企业也于踊跃推进相干研究与产物开发。
本次研究 Heteroepitaxially Grown Homojunction Gallium Oxide PN Diodes Using Ion Implantation Technologies，使用磷离子布植及快速热退火技术实现了第四代半导体 P 型 Ga2O3 的制造，并于其上重新生长 N 型及 N+ 型 Ga2O3，形成为了 PN Ga2O3二极体，结果展示出优秀的电性体现，这一突破性技术除了了能年夜幅晋升元件的稳定性及靠得住性，并显著降低电阻。
这次鸿海研究院与阳明交年夜电子所配合努力研究结果已经发表在高影响力指数 (impact paper) 的国际顶级质料科学期刊“Materials Today Advances”。Materials Today Advances 于 2023 年的影响力指数到达 10.25，并于质料科学领域的 SJR (Scimago Journal Country Rank) 中排名前 25%。
论文具体论述了这类新型 Ga2O3 PN 二极体的制作历程及性能特性。试验结果显示，该元件具备 4.2 V 的开启电压及 900 V 的击穿电压，揭示出元件优秀的高压耐受性能。这次的技术突破，将为台湾于全世界化合物半导体工业中的领先职位地方增添上风，也为未来的高压半导体运用首创新的可能，也再次证实了鸿海于技术立异及工业生长上的卓着能力。
瞻望未来，鸿海研究院体现，随着氧化镓技术的进一步生长，可以期待其于更多高压、高暖和高频领域中有更广泛运用，将继续致力在此领域的研究，为全世界技术立异及工业前进做出更年夜的孝敬。
【近期聚会会议】
10月30-31日，由宽禁带半导体国家工程研究中央主理的“化合物半导体进步前辈技术和运用年夜会”将初次与各人于江苏·常州相见，邀您齐聚常州新城希尔顿旅店，解耦工业链市场结构！https://w.lwc.cn/s/uueAru
11月28-29日，“第二届半导体进步前辈封测工业技术立异年夜会”将再次与列位相见在厦门，承袭“延续去年，立异本年”的思惟，仍将由云天半导体与厦门年夜学结合主理，雅时国际商讯承办，邀您齐聚厦门·海沧融信华邑旅店共探行业生长！诚邀您报名参会：https://w.lwc.cn/s/n6FFne
-快盈VIII平台-
项目经理微信
移动版官网
