快盈VIII平台-厦门云天Fine Pitch光刻工艺突破2um L/S
宣布于:2025-11-25 12:27:21

来历:云天半导体

厦门云天半导体继玄月初8 12吋 “晶圆级封装与无源器件生产线”正式通线后,颠末团队的不懈努力, 8英寸晶圆Fine Pitch光刻工艺开发终破2/2um L/S年夜关;

如下为部门工艺前提和结果展示:

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胶厚匀称性 3.4%

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CD启齿匀称性 3%

于Test Vehicle光罩下,测试了长线条 短线条,结果岂论是于正性光阻另有是负性光阻下, 2um的L/S下的线条都是完备而清楚的,而且没有任何显影不洁或者过显的外不雅异样;

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2um 短线条(光刻后)

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2um长线条-负胶(光刻后)

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2um长线条-正胶(光刻后)

SEM切片效果图以下,胶厚:3.308um,CD上启齿:2.272um,CD下启齿:1.716um,侧壁垂直度约85.2°;

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2um孔径SEM

2um长线条颠末电镀和种子层刻蚀后,线宽和线距均于工艺管控规模内,未泛起路线Peeling和断短路等外不雅异样;

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2um长线条-负胶(电镀后)

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2um长线条-负胶(PVD刻蚀后)

厦门云天半导体今朝量产化最小L/S为10/10um,工程样品能力最小L/S为7/7um,2/2um的L/S工艺的乐成开发是二期通线后的一次庞大突破。今朝2/2um的L/S工艺另有需进一步的开拓验证,为后续量产化的导入做足预备。厦门云天半导体将连续寻求“立异、卓着、相助、奋斗”的精力,不停挑战极限、勇攀岑岭!

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