来历：Silicon Semiconductor
scia Systems 的 scia Mill 200 体系可实现薄膜的高精度外貌结构化，并具备增强的选择性。
scia Systems 体现北卡罗来纳州立年夜学 (NCSU) 已经经采办了 scia Mill 200 体系。该体系将用在处置处罚碳化硅及氮化镓等宽禁带半导体质料，以使电力电子器件可以或许于更高的电压、频率及温度下更高效地运行。scia Mill 200 将安装于新建设的区域中央，名为“宽禁带半导体贸易飞跃”（CLAWS）。
“咱们很兴奋 NCSU 于其新建的区域立异中央利用 scia Systems 的离子束装备。因为其彻底反映气体兼容性，scia Mill 200 是实现反映蚀刻工艺的准确选择，可于宽禁带半导体质料中提高选择性及速度”，scia Systems 首席履行官 Michael Zeuner 博士体现。
利用 scia Mill 200 切确加工繁杂外貌结构
离子束蚀刻 (IBE) 是一种高精度的外貌处置处罚要领。一束带正电的离子被加速射向基板。离子将其动能通报给外貌原子，使其被喷射，从而去除了质料。IBE 的特殊情势是反映离子束蚀刻 (RIBE) 及化学辅助离子束蚀刻 (CAIBE)，此中利用反映气体来增长选择性、影响沟槽角度或者提高蚀刻速度。
scia Mill 200 可对于繁杂多层质料举行高精度蚀刻，且晶圆尺寸高达 200 毫米时具备精彩的匀称性。典型运用是磁存储器 (M快盈VIII平台-RAM)、传感器、MEMS 及化合物半导体的 2D 及 3D 结构化。
原文链接：
https://siliconsemiconductor.net/article/120143/North_Carolina_State_University_orders_Ion_Beam_Etching_Equipment_
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