2023年8月29日，PCIM Asia 上海国际电力元件、可再生能源治理展览会于上海新国际博览中央隆重开幕，展会连续时间为3天。作为亚洲领先的电力电子展会，展汇聚集了一众业界俊彦，摸索行业最新趋向及立异生长之路。
作为本届展会的援助商，三菱机电半导体携变频家电用智能功率�？镾LIMDIP-ZTM、工业与新能源发电用三电平IGBT�？�、新型3.3kV高压SiC-MOSFET模块、下一代电动汽车专用功率�？�4款新品和其他涵盖多个电力电子运用领域的14款经典产物全线亮相，以行业生长及运用为导向，周全展示三菱机电功率器件的产物和技术趋向。
8月30日，三菱机电同步召开了以“立异功率器件构建可连续未来”为主题的媒体宣布会。三菱机电半导体年夜中国区总司理赤田智史、三菱机电功率器件制作所首席技术照料Gourab Majumdar 博士、三菱机电功率器件制作所高级技术照料近藤晴房、三菱机电半导体年夜中国区市场总监陈伟雄、三菱机电半导体年夜中国区技术总监宋高升莅临宣布会现场举行了主题演讲，并针对于记者发问，就三菱机电最新产物及技术趋向、市场战略举行互动。
建设在1921年的三菱机电，作为一家以技术驱动生长的全世界知名综合性企业，依附强盛的技术实力及优良快盈VIII平台-的企业诺言于全世界的电力装备、通讯装备、工业主动化、电子元器件、家电等市场盘踞主要职位地方。特别于电子元器件市�。饣绱邮驴⒓吧氲继逡丫�67年，其半导体产物更是于变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模仿/数字通信以和有线/无线通信等领域获得了广泛的运用。
营业层面，从财报来看，三菱机电实现了稳定增加。通知布告显示：三菱机电2023财年净利润为2139亿日元，收入同比增加12%至50036亿日元；对于在2024财年，三菱机电预计收入为52000亿日元，业务利润为3300亿日元，净利润为2600亿日元。于前段时间三菱机电召开的投资申明会上，三菱机电社长兼CEO漆间启师长教师着重夸大了功率半导体营业是团体营业增加的重要牵引力。
用立异产物连续引领行业标的目的
展会上初次亮相的四款新品，延续了三菱机电一向的于各个运用领域连续立异、不停迭代的精力，之前沿技术及立异产物引领变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车行业生长。
（三菱机电亮相2023PCMI）
于变频家电行业，继SLIMDIP-STM、SLIMDIP-MTM、 SLIMDIP-WTM、 SLIMDIP-LTM、SLIMDIP-XTM以后，SLIMDIPTM封装系列又添新成员SLIMDIP-ZTM。SLIMDIP-ZTM具备30A的高额定电流，重要运用在3匹变频空调体系。
为了顺应变频家电市场高靠得住性、低成本、小型化等运用需求，三菱机电优化了SLIMDIP-ZTM内部结构，扩展了RC-IGBT芯片的安装面积并接纳了全新的绝缘导热垫片可以使热阻降低约40%。SLIMDIP系列封装，资助设计者缩短开发时间资助，实现更简朴、更小型的家用电器逆变体系。
（变频家电用智能功率�？镾LIMDIP-ZTM）
于工业与新能源行业，本次展示的这款工业与新能源发电用三电平IGBT�？椋幽闪薚型三电平拓扑。半桥部门接纳了1200V第7代IGBT，而交流开关部门接纳了650V第7代IGBT。这款三电平�？榫弑�200A及400A两个电流规格。优化的封装设计使患上该�？榭梢跃衫滩钜斓氖坎⒘迪直淞髌鞯慕媒莨β逝渲茫蚧缏飞杓�。
于轨道牵引行业，继3.3kV/185A、3.3kV/375A及3.3kV/750A全碳化硅模块以后，三菱机电新开发了一款集成SBD的SiC-MOSFET�？椋涔娓裎�3.3kV/800A，它将有助在为铁路、电力体系和年夜型工业变流体系提供更年夜功率密度、更高效率及靠得住性。
于封装结构及情势上，这款SiC MOSFET�？榻幽杉蒘BD的SiC MOSFET及优化的封装结构，与公司现有的硅功率�？橄啾龋厮鸷慕档土�91%，与现有3.3kV/750A全SiC功率�？橄啾冉档土�66%。从而降低了变流器功率损耗，并有助在提高输出功率及效率，有用削减碳排放。此外，该款SiC MOSFET模块接纳了LV100封装情势，可以经由历程差异的数目并联实现变流器的矫捷功率配置，简化电路设计。
（新型3.3kV高压SiC-MOSFET�？椋�
于电动汽车行业，三菱机电正于开发下一代电动汽车专用功率�？�。该系列�？橛涤�1300V及750V两个电压品级，划分接纳SiC MOSFET及RC-IGBT芯片技术。该系列�？榻幽扇饣缟贸さ难棺⒛９ひ�。于保证靠得住性的同时，年夜年夜晋升生产效率。
按下功率半导体“加速键”
本年市场景象严重，遇冷的年夜情况逼着企业纷纷“刀刃向内”，淘汰冗余，节制成本，甚至无奈年夜幅裁员。相比市场年夜多数企业，三菱机电半导体泛起出可贵的利好态势：于功率半导体投资扩产及技术结构方面接连传来重磅消息，并确定了以碳化硅为营业增加要害的焦点战略——继续研发车载产物、加速研发新一代产物、扩展全世界发卖。
扩产方面，2023年3月，三菱机电宣布，将于截至2026 年 3 月的五年内将以前宣布的投资计划翻一番，到达约 2600 亿日元，重要用在设置装备部署新的晶圆厂，以增长碳化硅 (SiC) 功率半导体的生产。
详细而言，三菱机电计划于2026年4月最先稼动位在日本熊本县菊池市（泗水）的碳化硅8英寸晶圆的新工厂。此外，另有计划对于碳化硅6英寸晶圆工�。ㄎ辉谌毡拘鼙鞠睾现臼校┚傩欣┎�2026年，碳化硅产能预计会扩展至现在的5倍摆布。三菱机电半导体年夜中国区总司理赤田智史吐露，预计到2030年，三菱机电SiC功率�？橛照急冉峤�30%以上。
市场方面，作为三菱机电的焦点上风产物，三菱机电自1994年以来一直于研发SiC 相干技术和�？椋⒂谌澜缏氏冉浒沧坝诒淦悼蘸托掣咚倭谐抵�。截止到2022年末，于全世界有跨越2千6百万辆汽车的电驱体系利用了三菱机电的硅基及碳化硅基车载功率器件。
据悉，于功率模块领域，三菱机电于全世界市占率中排名领先。此中，消费类电子用智能功率�？椋↖ntelligent Power Module）市占率全世界第一，轨道牵援用全碳化硅功率�？槭姓悸室彩侨澜绲谝�。赤田智史进一步提到，三菱机电会把营业增加重点放于新能源汽车领域及消费电子领域，同时连结工业、可再生能源及铁路牵引领域等运用的资源投放。
技术方面，三菱机电拥有多种尖端技术，如于外延、工艺等方面的高质量化合物半导体技术、使用自立研发沟槽(Trench)结构SiC-MOSFET所实现的低功耗芯片技术、业界顶尖的小型化与轻量化�？榧际醯�。三菱机电功率器件制作所首席技术照料Gourab Majumdar 博士也于宣布会上就三菱机电的技术进展做了充实的增补，包罗硅基及碳化硅基两个方面。
以硅基芯片为例，三菱机电研发的硅基IGBT芯片从第3代IGBT到现在第7代IGBT，面积愈来愈�。恳灰淮鶬GBT的损耗也于不停降低。当前，三菱机电已经经推出接纳更邃密结构看法、更新工艺技术的新型RC-IGBT芯片。据悉，新一代RC-IGBT芯片可以改善散热，以削减热阻,其损耗也比传统的RC-IGBT降低了50%摆布。
为了进一步强化技术上风，整合上风技术资源，2023年7月，三菱机电宣布，已经入股Novel Crystal Technology, Inc.。于以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体逐渐进入工业化并加速放量的阶段，三菱机电为抢占技术先机按下了“快捷键”。
三菱机电指望经由历程将其于低能量损耗、高靠得住性功率半导体的设计及制造方面的专业知识与Novel Crystal Technology于镓生产方面的专业知识相联合，加速其卓着节能氧化镓功率半导体的开发。
三菱机电功率器件制作所高级技术照料近藤晴房体现，碳化硅功率�？榈拿骋谆擞靡丫缭绞晔奔洌衷谑鞘背降既胄滦偷目斫柿�。事实上，若干年前，三菱机电就已经经睁开氧化镓技术的研究，作为新型半导体质料，氧化镓肯定碰面临许多技术挑战，但三菱机电接下来会努力基在氧化镓的功率芯片及功率器件技术研究。
瞻望未来，赤田智史体现，三菱机电将会继续开发适用在工业、可再生能源及铁路牵引运用领域的立异产物，这是咱们营业的基础。于此基础上，咱们将会投入更多资源于新能源汽车及家电运用领域，实现营业高速增加。
“于晶圆技术方面，咱们将会集中精神开发8英寸的SiC芯片及12英寸的Si芯片。承袭着更高附加值、更高规格的产物研发理念以和小型化的产物设计理念。以高运用矫捷性、高靠得住性、高效率的产物连续资助客户解决生产及运用上的问题，同时，依托全世界顶级客户群的规模上风降低成本，经由历程为诸多领域提供上风碳化硅�？槎鸭母缓窬椋餍懈饕凳迪致躺妥龀鲂⒕�。”赤田智史末了夸大。
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