来历：Silicon Semiconductor
SI Sensors——进快盈VIII平台-步前辈成像技术开发商，于高速成像领域推出了一项“突破性”进展：将电荷耦合器件 (CCD) 技术集成到互补金属氧化物半导体 (CMOS) 图象传感器中。
这类称为“CCD-in-CMOS”的立异要领年夜年夜增强了突发模式成像的能力，可以或许以“史无前例”的速率及敏捷度实现超快的捕捉速率。
这项新奇的 CCD-in-CMOS 技术由该公司位在英国剑桥的研发中央开发，联合了 CCD 及 CMOS 传感器的最好属性。CCD 可以或许于电压转换及随后的数字化以前将旌旗灯号存储于电荷域中。恰是这些旌旗灯号转换限定了传统图象传感器的帧捕捉速率。相比之下，CMOS 技术有益在实现片上体系架构，该架构可于统一芯片上集成附加电路，从而降低总体体系成本及繁杂性。经由历程将 CCD 存储器与 CMOS 光电二极管及读出电路相联合，这类混淆技术可以于超高速下实现卓着的图象质量，很是合适需要超高速图象捕捉及分析的运用。
SI Sensors 总司理 Phil Brown 体现：“咱们信赖，咱们缔造超高速突发模式器件的能力将完全转变高速成像。新一代 CCD-in-CMOS 图象传感器可以或许以全分辩率每一秒纪录数百万�。弑妇实牟蹲剿俾始案咝旁氡龋繁Ｒ郧宄�、具体的图象泛起最快的可不雅察事务。咱们的 CCD-in-CMOS 技术适用在从高速视频纪录到高光谱成像等种种成像运用，经由历程进步前辈的原位存储、节制及读出机制实现高效的数据处置处罚，从而降低体系繁杂性”。
原文链接：
https://siliconsemiconductor.net/article/120801/CCD-in-CMOS_technology_enables_ultra-fast_burst_mode_imaging
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