来历：英飞凌
l英飞凌基在进步前辈200毫米SiC晶圆制造技术向客户宣布首款碳化硅产物
l产物于奥地利菲拉赫生产，为高压运用提供一流的SiC功率技术
l生产200 毫米 SiC 产物将增强英飞凌于所有功率半导体质料领域的技术领先职位地方
近日，英飞凌科技股分公司于其 200 毫米碳化硅 (SiC) 线路图上取患了庞大进展。该公司将在 2025 年第一季度向客户宣布首批基在进步前辈 200 毫米 SiC 技术的产物。该产物于奥地利菲拉赫生产，为可再生能源、火车及电动汽车等高压运用提供一流的 SiC 功率技术。此外，英飞凌马来西亚居林工厂从150毫米晶圆向更年夜、更高效的200毫米晶圆直径的转型也已经周全推进。新建的Module 3工厂将凭据市场需求最先多量量生产。
英飞凌首席运营官 Rutger Wijburg 博士体现：“公司SiC 生产正于按计划举行，可以或许向客户宣布的这次首批产物，咱们感应十分侥幸。未来将经由历程分阶段提高菲拉赫及居林两地的产量，进一步晋升成本效益并确保产物质量。同时，咱们正于确保公司的制造能力可以或许满意对于碳化硅功率半导体的需求。”
SiC 半导体经由历程更高效地切换电力、于极端前提下体现出高靠得住性及稳健性以和实现更小的设计，完全转变了年夜功率运用。英飞凌的 SiC 产物让客户可以或许为电动汽车、快速充电站及火车以和可再生能源体系及人工智能数据中央开发节能解决方案。向客户宣布首批基在200毫米晶圆技术的SiC产物，标志着英飞凌SiC生长线路图迈出了本色性的一步，该线路图重点致力在为客户提供周全的高性能功率半导体产物组合，可有助在绿色能源并削减二氧化碳。
作为高度立异的宽带隙 (WBG) 技术的“英飞凌一个虚拟工厂”，英飞凌位在菲拉赫及居林的生产基地同享技术及工艺，可实现碳化硅及氮化镓 (GaN) 制造的快速晋升以宁静稳高效的运营。200 毫米 SiC 制造营业进一步牢固了英飞凌于提供业界领先的半导体技术及电源体系解决方案方面的卓着结果，并增强了公司于整个功率半导体领域（包罗硅、SiC 及 GaN）的技术领导职位地方。
原文链接：
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