快盈VIII平台-等离子发生器推动半导体芯片制造研究
宣布于：2026-03-28 02:12:33

来历：AIP

电子束枪可简化用在研究改良微芯片极紫外光刻要领所需的试验装配。

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等离子发生器推动半导体芯片制造研究生长

于制造更小、更密集的微芯片的竞争中，一些半导体系体例造商最先转向极紫外 (EUV) 光刻等新兴技术。这类要领利用波长极短的光将图案喷射到硅晶圆上，从而可以制造具备最小工艺节点的芯片。于此历程中，低密度氢等离子领会沿着 EUV 光束形成。这类等离子体可制止光学元件上积碳，但也可能影响机械的利用寿命及性能。

Stodolna等人引入了一种可以孕育发生氢等离子体的试验装配，以便进一步研究怎样改良 EUV 光刻技术。之前的等离子体发生器很是繁杂且资源密集，但该团队的装配很简朴，而且接纳了商用技术。他们的装配重要依赖高压、高电流电子束枪，这类电子束枪可以孕育发生短电子脉冲，经由历程电子碰撞电离孕育发生等离子体。于测试中，它可以或许重现 EUV 孕育发生的等离子体的要害参数。

“对于我来讲，最使人兴奋的是，咱们展示了自己的等离子体装配与 EUV 天生的等离子体的多种特征相似，包罗其时间特征，这于非 EUV 天生的等离子体装配中从未被复现过，”作者 Aneta Sylwia Stodolna 说道。“是以，咱们现在可以为客户举行更真正的等离子体-质料相互作用研究。”

研究职员已经经于利用该装配研究质料寿命，并正于举行进级，包罗将其毗连到 X 射线光电子能谱仪举行深切分析。对于脉冲与连续波等离子体的开端研究注解，时间等离子体特征于 EUV 驱动的质料毁伤历程中的主要性。

资料来历: “A novel low-temperature and high-flux hydrogen plasma source for extreme-ultraviolet lithography applications,” by A.S. Stodolna, T.W. Mechielsen, P. van der Walle, C. Meekes, and H. Lensen, JVST: B (2024). The article can be accessed at https://doi.org/10.1116/6.0003701 .

原文链接：

https://ww2.aip.org/scilights/plasma-generator-advances-semiconductor-chip-manufacturing-studies

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