甬矽电子5月27日宣布晚间通知布告称，公司拟向不特定对于象刊行可转换公司债券的召募资金总额不跨越12亿元，扣除了刊行用度后的召募资金净额将用在多维异构进步前辈封装技术研发和工业化项目、增补流动资金和送还银行告贷。
通知布告显示，本项目总投资额为14.64万元，拟利用召募资金投资额为9亿元。实行所在位在公司浙江宁波的二期工�。焓苯褐昧偈苯『献氨�、机械研磨装备、化学研磨机、干法刻硅机、化学气相沉积机、晶圆级模压机、倒装贴片机、助焊剂洗濯机、全主动磨片机等进步前辈的研发实验和封测生产装备，同时引举行业内高精尖技术、生产人材，设置装备部署与公司生长战略相顺应的研发平台和进步前辈封装产线。
项目建成后，公司将开展“晶圆级重构封装技术（RWLP）”、“多层布线毗连技术（HCOS-OR）”、“高铜柱毗连技术（HCOS-OT）”、“硅通孔毗连板技术（HCOS-SI）”及“硅通孔毗连板技术（HCOS-AI）”等标的目的的研发和工业化，并于彻底达产后形成年封测扇出型封装（Fan-out）系列及 2.5D/3D 系列等多维异构进步前辈封装产物9万片的生产能力。本项目的实行将进一步深化快盈VIII平台-公司于进步前辈封装领域的营业结构，连续晋升公司焦点竞争力。
甬矽电子于通知布告中体现，公司于进步前辈晶圆级封装技术方面已经有一定的技术贮备，包罗对于进步前辈制程晶圆举行高密度、细间距重布线的技术（RedistributionLayer，即 RDL）、晶圆凸块技术（Bumping）、扇入（Fan-in）技术等。同时，公司另有于踊跃开发扇出（Fan-out）封装、蚀刻技术等晶圆级多维异构封装技术，并已经取患了部门发现专利。
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