来历：集邦化合物半导体
10月30日，长飞进步前辈武汉基地相干卖力人对于外先容，长飞进步前辈武汉碳化硅基地11月装备行将进驻厂房，来岁年头最先调试，预计2025年5月可以量产通线，随后将开启良率晋升及产能爬坡。
source:光谷融媒体中央
据悉，长飞进步前辈武汉基田主要聚焦在第三代半导体功率器件研发与生产，项目总投资预计跨越200亿元，占地面积约22.94万㎡，修建面积约30.15万㎡，重要设置装备部署内容包罗晶圆制造厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、制品库、综合办公楼、员工宿舍以和生产配套用房举措措施等。项目投产后可年产36万片SiC晶圆和外延、6100万个功率器件�？椋惴涸擞迷谛履茉雌�、光储充等领域。该项目在2023年8月25日落户武汉，并在7天后开工设置装备部署。本年6U8国际官网月，项目主体结构周全封顶。凭据原计划，项目将在2025年1月装备搬入，2025年7月量产通线，2026年年末到达满产。截止今朝项目最新动态显示，项目提早了2个月的进度。
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值患上一提的是，长飞进步前辈武汉碳化硅基地加速设置装备部署的同时，其于芜湖的第三代半导体项目也迎来了新进展。10月29日，据芜湖市生态局披露的设置装备部署项目环评审批通知布告显示，安徽长飞进步前辈将对于其位在芜湖市弋江区的第三代半导体项目举行革新，详细内容为：对于现有研发方案中6万片/年的6英寸碳化硅半导体芯片及1.2万片/年的四、6英寸氮化镓半导体芯片举行研发工艺的改良，提高研发产物的质量，优化研发产物的结构，研发产能连结稳定。
据悉，该项目由长飞进步前辈全资子公司芜湖太赫兹工程中央有限公司卖力。项目在2017年6月开工设置装备部署，2021年完成自立验收，公司后续于2022年对于项目举行了扩产。
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