来历：泛林团体
Coronus?DX 建设于泛林团体 15 年来于晶圆边缘解决方案的立异之上
近日，泛林团体(Nasdaq: LRCX) 推出了CoronusDX产物，这是业界首个晶圆边缘沉积解决方案，旨于更好地应答下一代逻辑、3D NAND及进步前辈封装运用中的要害制造挑战。随着半导体芯片要害尺寸的不停缩�。渲圃毂浠忌嫌从痹樱诠杈г采瞎菇擅准镀骷枰俑龉ひ辗ㄊ�。仅需一个工艺法式，Coronus DX 可于晶圆边缘的双侧沉积一层专有的掩护膜，有助在制止于进步前辈半导体系体例造历程中经常发生的缺陷及破坏。这一强盛的掩护技术提高了良率，并使芯片制造商可以或许实行新的前沿工艺来生产下一代芯片。Coronus DX 是Coronus?产物系列的最新成员，扩展了泛林团体于晶圆边缘技术领域的领先职位地方。
泛林团体全世界产物事业部高级副总裁 Sesha Varadarajan 体现：“于 3D 芯片制造时代，生产繁杂且成本昂扬。基在泛林团体于晶圆边缘立异方面的专长，Coronus DX 有助在实现更可推测的制造并年夜幅提高良率，为之前不成行的进步前辈逻辑、封装及 3D NAND生产工艺患上以接纳摊平门路。”
沉积于工艺集成历程中增长了要害掩护
与 Coronus 晶圆边缘刻蚀技术互补，Coronus DX 使新的器件架组成为实际，这对于在芯片制造商来讲是倾覆性的。重复叠加的薄膜层会致使残留物及粗拙度沿着晶圆边缘储蓄积累，而且它们可能会剥落、漂移到其它区域并孕育发生致使器件掉效的缺陷。好比：
·于 3D 封装运用中，来自生产线后真个质料可能会迁徙，并于以后的工艺中成为污染源。晶圆的塌边会影响晶圆键合的质量。
·3D NAND 制造中的永劫间湿法刻蚀工艺可能会致使边缘处衬底的严峻破坏。
当这些缺陷不克不及被刻蚀失时，Coronus DX 会于晶圆边缘沉积一层薄的电介质掩护层。这类切确及可调整的沉积有助在解决这些可能影响半导体质量的常见问题。
CEA-Leti 半导体平台部门卖力人 Anne Roule 体现：“CEA-Leti 应用其于立异、可连续技术解决方案方面的专业知识，资助泛林团体应答进步前辈半导体系体例造方面的要害挑战。经由历程简化 3D 集成，Coronus DX年夜幅提高良率，使芯片制造商可以或许接纳突破性的生产工艺。”
专有工艺推动良率晋升
Coronus DX 接纳了一流的切确晶圆中央定位及工艺节制，包罗内置量测�？椋匀繁９ひ盏囊恢滦约翱芍馗葱�。Coronus 产物慢慢提高了晶圆良率，每一个刻蚀或者沉积法式提高 0.2% 至 0.5% 的良率，这可使整个晶圆生产流程的良率提高 5%。每个月加工跨越 100,000 片晶圆的制造商于一年中可经由历程 Coronus 提高芯片产量达数百万 ——价值数百万美元。
各年夜芯片制造商都利用了 Coronus
Coronus 产物系列在 2007年初次快盈VIII平台-推出，被各泰半导体系体例造商利用，于全世界规模内安装了数千个腔体。泛林团体的 Coronus 产物系列是业界首个颠末年夜规模生产验证的晶圆边缘技术。其 Coronus 及 Coronus HP 解决方案是刻蚀产物，旨于经由历程去除了边缘层来制止缺陷。Coronus 解决方案被用在制造逻辑、内存及特点工艺器件，包罗领先的 3D 器件。Coronus DX 今朝已经于全世界领先的客户晶圆厂中用在多量量制造。
Kioxia Corporation 内存工艺技术履行官 Hideshi Miyajima博士体现：“经由历程晶圆边缘技术等领域的前进提高生产工艺的质量，对于在咱们向客户年夜规模提供下一代闪存产物至关主要。咱们期待继续与泛林团体和其 Coronus 解决方案相助，以实现领先的晶圆生产。”
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