据中科重仪半导体科技有限公司官微消息，近日，姑苏中科重仪半导体质料有限公司（如下简称“中科重仪”）自立研发的运用在电力电子领域的年夜尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片生产线正式建成并投入利用。这象征着电力电子标的目的的功率型氮化镓外延片生产将挣脱入口依靠，彻底实现自立可控。
中科重仪依托进步前辈的研发及工业化基地，专注在第三代半导体年夜尺寸硅基氮化镓外延片研发与制造，致力在为电力电子领域提供高质量氮化镓质料解决方案。据先容，中科重仪生产的氮化镓外延片，氮化镓层厚度约5μm外貌无裂纹，翘曲度小在100μm。HEMT结构室温下，方块电阻为465Ω/sq，二维电子气（2DEG）浓快盈VIII平台-度约8×1013cm-二、2DEG迁徙率年夜在2000 cm2/Vs，片内与片间不匀称性小在1%，可以满意电力电子领域功率器件开发与运用需求，于实现氮化镓外延片生产成本年夜幅降低的同时挣脱了对于入口装备的依靠。
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